DRAM高速老化测试设备:CYC-590

 DRAM高速老化测试设备

Cyclone系列CYC-590产品系定位于高速、大批量的DRAM老化测试解决方案,可以通过100MHz/200Mbps的速率并行测试高达60槽位老化板,最多并行测试数量可支持到23Kpcs。同时支持RDBI(Repair During Burn In)功能,可极大提升测试效率和降低测试成本。

特性


DRAM高速接口

接口速率支持100Mhz/200Mbps,可支持DRAM的高速读写和DFT功能。

高并测数

通过优化信号拓扑,支持最多60槽位和23Kpcs+器件的并测数。

高度温度均匀性

针对DRAM对温度的高度敏感性,通过优化风道和温度控制,实现DUT的高度温度均匀性。

支持RDBI(Repair During Burn In)

通过高速数据管道和高性能运算,支持Repair During Burn In。

 

规格


 

目标器件

DDR3/DDR4/DDR5
LPDDR4/LPDDR5

并测数

系统

23040 @ 60Slot DDR4 BIB

单板

384pcs, max.

最大信号频率

100MHz/200Mbps

时钟

频率范围:10ns~1us;颗粒度: 625ps

信号通道数

336DR + 432IO  (Per Slot)

格式通道

34DR + 27IO + 8DSEL (Device Select)

温度范围

-10 ~ 150℃      -40 ~ 150℃ (Optional)

系统尺寸 [mm]

4100(W)x1800(D)x2700(H)