DRAM高速老化测试设备:CYC-590
Cyclone系列CYC-590产品系定位于高速、大批量的DRAM老化测试解决方案,可以通过100MHz/200Mbps的速率并行测试高达60槽位老化板,最多并行测试数量可支持到23Kpcs。同时支持RDBI(Repair During Burn In)功能,可极大提升测试效率和降低测试成本。 |
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特性
DRAM高速接口
接口速率支持100Mhz/200Mbps,可支持DRAM的高速读写和DFT功能。
高并测数
通过优化信号拓扑,支持最多60槽位和23Kpcs+器件的并测数。
高度温度均匀性
针对DRAM对温度的高度敏感性,通过优化风道和温度控制,实现DUT的高度温度均匀性。
支持RDBI(Repair During Burn In)
通过高速数据管道和高性能运算,支持Repair During Burn In。
目标器件 |
DDR3/DDR4/DDR5 |
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并测数 |
系统 |
23040 @ 60Slot DDR4 BIB |
单板 |
384pcs, max. |
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最大信号频率 |
100MHz/200Mbps |
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时钟 |
频率范围:10ns~1us;颗粒度: 625ps |
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信号通道数 |
336DR + 432IO (Per Slot) |
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格式通道 |
34DR + 27IO + 8DSEL (Device Select) |
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温度范围 |
-10 ~ 150℃ -40 ~ 150℃ (Optional) |
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系统尺寸 [mm] |
4100(W)x1800(D)x2700(H) |